半导体装置及减小表面起伏与字元线纵梁残余的制造方法

摘要

本发明是有关于一种半导体装置及减小表面起伏与字元线纵梁残余的制造方法。该方法可包括结合内埋氧化区上的第一介电填充材料的形成以及此介电填充材料的移除，以制备用于随后字元线的形成的实质上平的基板。此方法可考虑到伴随着减少的字元线纵梁剩余材料的减小的尺寸的半导体记忆体装置的生产。

主权项

一种减小表面起伏与字元线纵梁残余的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基板、一缓冲层以及一硬质罩幕层；在该基板中形成一内埋扩散区；沿着该基板沉积一第一介电填充材料；移除该硬质罩幕层上的过量的该第一介电填充材料；进行自对准图案化以在半导体的一自对准接触区中形成至少一沟槽；沿着该基板沉积一第二介电填充材料；移除该硬质罩幕层上的过量的该第二介电填充材料；移除该硬质罩幕层；以及移除该第一介电填充材料。