发明名称 |
TEM放大率校准方法及用于校准的样品的形成方法 |
摘要 |
一种TEM放大率校准方法及用于放大率校准的样品的形成方法,其中校准方法包括:样品包括:衬底、位于衬底上的至少三层石墨烯层,石墨烯层厚度方向为第一方向;下层的石墨烯层在第二方向具有伸出上层石墨烯层外的凸出部分,顶层石墨烯层和所有凸出部分在第二方向的宽度w<sub>0</sub>相等;利用待校准TEM测量样品上两点之间的测试宽度w<sub>1</sub>,两点所在直线平行于第二方向,w<sub>1</sub>/w<sub>0</sub>的值m为大于1的整数;找到两点沿第一方向对应的最上方两边界,利用待校准TEM测量两边界之间的测试高度h<sub>1</sub>;计算得到待校准放大率f<sub>1</sub>和测试放大率f<sub>2</sub>的比值为:f<sub>1</sub>/f<sub>2</sub>=(m*h<sub>0</sub>)/h<sub>1</sub>。本发明的样品能够长期使用,具有较长使用寿命,降低了成本。 |
申请公布号 |
CN105445293A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201410425713.2 |
申请日期 |
2014.08.26 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
蔡博修;林益世 |
分类号 |
G01N23/04(2006.01)I;G01B15/00(2006.01)I |
主分类号 |
G01N23/04(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
万铁占;骆苏华 |
主权项 |
一种TEM放大率校准方法,所述TEM具有至少一待校准放大率,其特征在于,包括:提供样品,所述样品包括:衬底、位于所述衬底上的至少三层叠置的石墨烯层,所述石墨烯层厚度方向为第一方向;在所有相互接触的两层石墨烯层中,下层的石墨烯层在第二方向具有伸出上层石墨烯层外的凸出部分,所述顶层石墨烯层和所有凸出部分在第二方向的宽度w<sub>0</sub>相等,所述w<sub>0</sub>大于单层石墨烯层的厚度h<sub>0</sub>;每一待校准放大率f<sub>1</sub>的校准方法包括:利用所述待校准的TEM测量样品上两点之间的测试宽度w<sub>1</sub>,所述两点所在直线平行于所述第二方向,以顶层石墨烯层沿第二方向背向凸出部分的侧面为界,所述两点位于样品具有凸出部分一侧,w<sub>1</sub>/w<sub>0</sub>的值m为大于1的整数;找到样品上所述两点沿第一方向分别对应的最上方的两边界,利用所述待校准的TEM测量所述两边界之间的测试高度h<sub>1</sub>;计算得到待校准放大率f<sub>1</sub>和测试放大率f<sub>2</sub>的比值为:f<sub>1</sub>/f<sub>2</sub>=(m*h<sub>0</sub>)/h<sub>1</sub>。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |