鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部；形成横跨覆盖所述鳍部的侧壁和顶部部分表面的栅极结构；形成覆盖鳍部以及栅极结构的刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成掩膜层，掩膜层中具有暴露出栅极结构两侧的鳍部表面的刻蚀停止层表面的第一开口；沿第一开口刻蚀所述刻蚀停止层，在刻蚀停止层中形成第二开口，所述第二开口底部暴露的鳍部中残留有刻蚀过程中进入的杂质元素；对第二开口底部暴露的鳍部进行第一去杂质元素处理，去除第二开口暴露的鳍部中残留的杂质元素；沿第二开口回刻蚀去除部分鳍部，在鳍部中形成凹槽；形成填充满凹槽中的应力源/漏区。本发明方法提高形成的应力源/漏区的性能。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍部；形成横跨覆盖所述鳍部的侧壁和顶部部分表面的栅极结构；形成覆盖所述鳍部的侧壁和顶部表面以及栅极结构侧壁和顶部表面的刻蚀停止层；在所述刻蚀停止层上形成掩膜层，所述掩膜层中具有第一开口，所述第一开口暴露出栅极结构两侧的鳍部表面的刻蚀停止层；沿第一开口刻蚀所述刻蚀停止层，在所述刻蚀停止层中形成暴露出鳍部顶部表面的第二开口，所述第二开口底部暴露的鳍部中残留有刻蚀过程中进入的杂质元素；对第二开口底部暴露的鳍部进行第一去杂质元素处理，去除第二开口暴露的鳍部中残留的杂质元素；沿第二开口回刻蚀去除部分鳍部，在鳍部中形成凹槽；形成填充满凹槽中的应力源/漏区。