一种二硫化钼场效应管的制作方法

摘要

本发明提供一种二硫化钼场效应管的制作方法。包括：首先提供一包括已经掺杂的硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；然后在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；接着利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时可以保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；最后将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。本发明工艺简单、与CMOS工艺的兼容使其有较好的扩展性，同时可以重复循环使用，在微电子领域和生化检测领域有着较广的使用前景。

主权项

一种二硫化钼场效应管的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：1)提供一包括硅基体和顶绝缘层的基板，刻蚀所述顶绝缘层形成金属电极填埋窗口；2)在顶绝缘层和金属电极填埋窗口上方沉积金属薄膜；3)利用减薄的方法将顶绝缘层上方金属薄膜去除，得到金属源极和金属漏极；同时保持金属电极填埋窗口上方剩余的金属薄膜与顶绝缘层在同一水平高度；4)在金属源极、金属漏极和顶绝缘层上方制作钝化层，并制作出外接电路窗口和二硫化钼窗口；5)将二硫化钼转移到二硫化钼窗口上，并与金属源极和金属漏极相连接。