| 发明名称 | 掩模坯料、带有负型抗抗蚀膜的掩模坯料、相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明通过提供如下掩模坯料而解决上述课题，该掩模坯料，其特征在于，用于制造应用ArF准分子激光曝光光的半色调型的相移掩模，具有透明基板与半透光膜，该半透光膜形成于上述透明基板上且仅包含Si及N或仅包含Si、N、及O的半透光膜，且上述半透光膜，其在ArF准分子激光曝光光的波长下的消光系数为0.2～0.45的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的折射率为2.3～2.7的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的透光率为15％～38％的范围内，进而膜厚为57nm～67nm的范围内。 | ||
| 申请公布号 | CN105452956A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201480045458.7 | 申请日期 | 2014.08.21 |
| 申请人 | 大日本印刷株式会社 | 发明人 | 安达俊;三浦阳一;高见泽秀吉;早野胜也;大川洋平;渡边浩司;谷绚子 |
| 分类号 | G03F1/32(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张玉玲 |
| 主权项 | 一种掩模坯料，其特征在于，其用于制造应用ArF准分子激光曝光光的半色调型的相移掩模，该掩模坯料具有透明基板与半透光膜，该半透光膜是形成于所述透明基板上且仅包含Si及N、或仅包含Si、N、及O的半透光膜，所述半透光膜在ArF准分子激光曝光光的波长下的消光系数为0.2～0.45的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的折射率为2.3～2.7的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的透光率为15％～38％的范围内，进而膜厚为57nm～67nm的范围内。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||