发明名称 |
测试结构及测试方法 |
摘要 |
本申请公开了一种测试结构和测试方法。其中,该测试结构包括由第一互连金属层、层间介质层和第二互连金属层构成的互连电容,以及与第一互连金属层电连接的第一焊盘,和与第二互连金属层电连接的第二焊盘,该测试结构还包括:至少一个半导体二极管,半导体二极管的正极分别与第一互连金属层和第一焊盘形成电连接,半导体二极管的负极分别与第二互连金属层和第二焊盘形成电连接;至少一个电容器,与半导体二极管并联设置,电容器的击穿电压大于互连电容的击穿电压。上述测试结构能够减少由静电荷引起的测试结构中互连电容的击穿,进而提高测试结果的准确性。 |
申请公布号 |
CN105448889A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201410443827.X |
申请日期 |
2014.09.02 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
单文光;何莲群;宋永梁 |
分类号 |
H01L23/528(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/528(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
吴贵明;张永明 |
主权项 |
一种测试结构,包括由第一互连金属层、层间介质层和第二互连金属层构成的互连电容,以及与所述第一互连金属层电连接的第一焊盘,和与所述第二互连金属层电连接的第二焊盘,其特征在于,所述测试结构还包括:至少一个半导体二极管,所述半导体二极管的正极分别与所述第一互连金属层和所述第一焊盘形成电连接,所述半导体二极管的负极分别与所述第二互连金属层和所述第二焊盘形成电连接;至少一个电容器,与所述半导体二极管并联设置,所述电容器的击穿电压大于所述互连电容的击穿电压。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |