| 发明名称 | 半导体存储装置 | ||
| 摘要 | 实施方式的半导体存储装置具有第1存储单元、与所述第1存储单元相邻的第2存储单元、与所述第1存储单元结合的第1字线、及与所述第2存储单元结合的第2字线。在从所述第1存储单元读出数据时，对所述第1字线施加第1电压、及与所述第1电压不同的第2电压。在对所述第1字线施加所述第1电压的期间，施加于所述第2字线的电压变动第1次数，在对所述第1字线施加所述第2电压的期间，施加于所述第2字线的电压变动与所述第1次数不同的第2次数。 | ||
| 申请公布号 | CN105448336A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510101093.1 | 申请日期 | 2015.03.06 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 白川政信;二山拓也;细野浩司 |
| 分类号 | G11C16/06(2006.01)I;G11C16/10(2006.01)I;G11C16/34(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 张世俊 |
| 主权项 | 一种半导体存储装置，其特征在于包含：第1存储单元；第2存储单元，与所述第1存储单元相邻；第1字线，与所述第1存储单元结合；以及第2字线，与所述第2存储单元结合；并且在从所述第1存储单元读出数据时，对所述第1字线施加第1电压、以及与所述第1电压不同的第2电压；在对所述第1字线施加所述第1电压的期间，施加于所述第2字线的电压变动第1次数，在对所述第1字线施加所述第2电压的期间，施加于所述第2字线的电压变动与所述第1次数不同的第2次数。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||