氮化物半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法。在基板的同一面侧形成有n侧及p侧电极焊盘的氮化物半导体发光元件中，形成从p侧电极焊盘(及n侧电极焊盘)以枝状延伸的延长部，由此得到改善发光元件中的电流分布的电极结构的氮化物半导体发光元件，其中，在n侧及p侧的薄层电阻两者都充分低的情况下，通过在一定条件下提高在p型氮化物半导体层上形成的由透光性导电膜构成的电流扩散层的薄层电阻，降低了p型氮化物半导体层和电流扩散层的接触电阻，而且薄层电阻在面内的分布变得更加均匀，从而光输出得以提高。

主权项

一种氮化物半导体发光元件，其特征在于，在基板上表面上的氮化物半导体区域内，按顺序包括一个以上的n型氮化物半导体层、有源层及一个以上的p型氮化物半导体层，所述n型氮化物半导体层具有从所述p型氮化物半导体层侧进行蚀刻而形成的局部露出区域，在所述n型氮化物半导体层的所述局部露出区域形成有n侧电极焊盘，在所述p型氮化物半导体层上形成有电流扩散层，在所述电流扩散层上形成有p侧电极焊盘及从该p侧电极焊盘延伸的p侧分支电极，所述电流扩散层的薄层电阻Rs2大于所述n型氮化物半导体层的薄层电阻Rs1，所述电流扩散层的薄层电阻Rs2和所述n型氮化物半导体层的薄层电阻Rs1的关系为Rs2＝x×Rs1，式中1.5≤x≤4；所述n型氮化物半导体层的薄层电阻Rs1不到10Ω/□；所述电流扩散层是ITO或者IZO，所述氮化物半导体区域是矩形状，在用直线连接所述p侧电极焊盘的中心和所述n侧电极焊盘的中心时，将与该直线平行的所述氮化物半导体区域的边的长度设为Y，将与所述直线垂直的边的长度设为X，则满足0.8≤Y/X<1的条件，所述p侧电极焊盘及所述n侧电极焊盘在所述氮化物半导体区域的长边方向的中央沿着短边方向并排配置。