| 发明名称 | P型金属氧化物半导体管的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种P型金属氧化物半导体管的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧形成侧壁层；以多晶硅栅极和侧壁层为掩膜对半导体衬底进行硼离子注入，形成源漏极；采用等离子增强化学沉积方法形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖半导体衬底、侧壁层以及多晶硅栅极；对所述氧化硅层进行紫外光固化；进行源漏极退火处理。该方法有效避免了PMOS管的源漏极退火时，氧化硅层中氢元素造成的源漏极中硼元素的迁移。 | ||
| 申请公布号 | CN102543741B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201010603101.X | 申请日期 | 2010.12.23 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 张子莹 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种P型金属氧化物半导体管的制作方法，该方法包括：在半导体衬底上依次形成栅氧化层和多晶硅栅极；在所述多晶硅栅极的两侧形成侧壁层；以多晶硅栅极和侧壁层为掩膜对半导体衬底进行硼离子注入，形成源漏极；采用等离子增强化学沉积方法形成氧化硅层，所述氧化硅层覆盖半导体衬底、侧壁层以及多晶硅栅极；对所述氧化硅层进行紫外光固化，以去除氧化硅层中的氢元素；进行源漏极退火处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||