发光元件的制造方法

摘要

本发明涉及发光元件的制造方法。是分割半导体晶片（100）来形成发光元件（5）的发光元件的制造方法。特征在于，在该半导体晶片（100）中，在将C面作为主面的蓝宝石基板（1）上层叠GaN系半导体并在纵横方向排列配置多个矩形形状的发光元件部（2），横分割区域（4b）的宽度比纵分割区域（4a）的宽度窄，并且发光元件部（2）的N电极配置在纵分割区域（4a）侧的至少一侧，在分割半导体晶片时，将割断起点设置在蓝宝石基板的－C面侧来进行分割，该发光元件（5）的制造方法的包括：晶片准备步骤，准备半导体晶片（100）；和晶片分割步骤，对半导体晶片（100）进行分割，在晶片分割步骤中，在纵分割区域（4a）中，将从纵分割区域（4a）的宽度方向的线向宽度方向的一侧偏移了规定距离的线位置作为上述割断起点进行分割。

主权项

一种发光元件的制造方法，对半导体晶片进行分割来形成发光元件，其特征在于，在所述半导体晶片中，在将C面作为主面的蓝宝石基板上层叠GaN系半导体，并在纵横方向排列配置多个矩形形状的发光元件部，沿着与上述蓝宝石基板的A面平行的方向进行分割的横分割区域的宽度比沿着与上述A面垂直的方向进行分割的纵分割区域的宽度窄，并且上述发光元件部的N电极配置在上述纵分割区域侧的两侧中的至少一侧，在分割所述半导体晶片时，将割断起点设置在蓝宝石基板的－C面侧来进行分割，该发光元件的制造方法包括：晶片准备步骤，准备上述半导体晶片；以及晶片分割步骤，对上述准备的半导体晶片进行分割，在上述晶片分割步骤中，在上述纵分割区域中，将从该纵分割区域的宽度方向的中央线向宽度方向的一侧偏移了规定距离的线位置作为上述割断起点来进行分割。