发明名称 一种硅晶圆的激光剥离方法
摘要 本发明适用于激光加工领域,提供了一种硅晶圆的激光剥离方法,通过先在硅晶圆的内部形成一系列的炸点,然后在低温条件下沿相反的方向拉扯炸点所在平面两侧的硅晶圆,使得硅晶圆沿炸点分离,且由于在低温条件下,硅晶圆可更好的按照若干炸点形成的平面方向分离,不容易在其他方向上产生新的裂纹,最终实现了硅晶圆的无缝分离,分离后的硅晶圆表面平整,均匀,加工良率高,可适用于批量生产。
申请公布号 CN105436710A 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201511020496.X 申请日期 2015.12.30
申请人 大族激光科技产业集团股份有限公司 发明人 王焱华;陈治贤;陈红;庄昌辉;马国东;高昆;尹建刚;高云峰
分类号 B23K26/36(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I 主分类号 B23K26/36(2014.01)I
代理机构 深圳市道臻知识产权代理有限公司 44360 代理人 陈琳
主权项 一种硅晶圆的激光剥离方法,其特征在于,所述激光剥离方法包括:激光聚焦在硅晶圆内部的某一平面形成若干个炸点;在低温条件下,沿相反方向拉伸硅晶圆的上下两个表面,将硅晶圆分离成两片。
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