发明名称 |
一种硅晶圆的激光剥离方法 |
摘要 |
本发明适用于激光加工领域,提供了一种硅晶圆的激光剥离方法,通过先在硅晶圆的内部形成一系列的炸点,然后在低温条件下沿相反的方向拉扯炸点所在平面两侧的硅晶圆,使得硅晶圆沿炸点分离,且由于在低温条件下,硅晶圆可更好的按照若干炸点形成的平面方向分离,不容易在其他方向上产生新的裂纹,最终实现了硅晶圆的无缝分离,分离后的硅晶圆表面平整,均匀,加工良率高,可适用于批量生产。 |
申请公布号 |
CN105436710A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201511020496.X |
申请日期 |
2015.12.30 |
申请人 |
大族激光科技产业集团股份有限公司 |
发明人 |
王焱华;陈治贤;陈红;庄昌辉;马国东;高昆;尹建刚;高云峰 |
分类号 |
B23K26/36(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
B23K26/36(2014.01)I |
代理机构 |
深圳市道臻知识产权代理有限公司 44360 |
代理人 |
陈琳 |
主权项 |
一种硅晶圆的激光剥离方法,其特征在于,所述激光剥离方法包括:激光聚焦在硅晶圆内部的某一平面形成若干个炸点;在低温条件下,沿相反方向拉伸硅晶圆的上下两个表面,将硅晶圆分离成两片。 |
地址 |
518000 广东省深圳市南山区深南大道9988号 |