发明名称 |
气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法 |
摘要 |
一种气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法,气体喷淋装置包括:喷淋头,喷淋头包括中心区和包围中心区的外围区,喷淋头的中心区和外围区具有平行排列的若干第二喷淋口,第二喷淋口用于输出第二气体,相邻第二喷淋口之间具有第一喷淋口,第一喷淋口包括位于中心区的第一子喷淋口、以及位于外围区的第二子喷淋口,第一子喷淋口和第二子喷淋口相互隔离,第一子喷淋口用于输出第一气体,第二子喷淋口用于输出第二气体;与第一子喷淋口连接的第一气体通道;与第二喷淋口和第二子喷淋口连接的第二气体通道。采用气体喷淋装置的化学气相沉积装置的成膜质量改善。 |
申请公布号 |
CN105441904A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201410273262.5 |
申请日期 |
2014.06.18 |
申请人 |
中微半导体设备(上海)有限公司 |
发明人 |
姜勇;杜志游 |
分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
主分类号 |
C23C16/455(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
应战;骆苏华 |
主权项 |
一种气体喷淋装置,其特征在于,包括:喷淋头,所述喷淋头底面喷气区域包括中心区和包围所述中心区的外围区,所述喷淋头的中心区和外围区具有平行排列的若干第二喷淋口,所述第二喷淋口用于输出第二气体,相邻第二喷淋口之间具有第一喷淋口,所述第一喷淋口和第二喷淋口相互交替分布,所述第一喷淋口包括位于中心区的第一子喷淋口、以及位于外围区的第二子喷淋口,所述第一子喷淋口和第二子喷淋口相互隔离,所述第一子喷淋口用于输出第一气体,所述第二子喷淋口用于输出第二气体,所述第一气体和第二气体之间能够发生成膜反应;与第一子喷淋口连接的第一气体通道,所述第一气体自所述第一气体通道通过,并从第一子喷淋口输出;与第二喷淋口和第二子喷淋口连接的第二气体通道,所述第二气体通道与第一气体通道相互隔离,所述第二气体自所述第二气体通道通过,并从第二喷淋口和第二子喷淋口输出。 |
地址 |
201201 上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号 |