发明名称 一种光栅制造方法及光栅
摘要 本发明提供一种光栅制造方法及光栅,涉及光栅制造领域。该方法,应用于光栅的制造,包括下列步骤:在光片上进行第一层光刻与刻蚀,形成第一层台阶;在经过第一层光刻与刻蚀后,在所述第一层台阶的凹槽内进行第二层光刻与刻蚀,形成第二层台阶;在经过第二层光刻与刻蚀后,在所述第二层台阶的凹槽内进行第三层光刻与刻蚀,形成第三层台阶。本发明的光栅制造方法通过直接在光片上进行光刻与蚀刻,解决了现有技术耗时长,且二氧化硅除反射外还存在折射,影响光栅亮度的问题。
申请公布号 CN105445832A 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201410247851.6 申请日期 2014.06.05
申请人 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 发明人 崔金洪
分类号 G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 主分类号 G02B5/18(2006.01)I
代理机构 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人 许静;黄灿
主权项 一种光栅制造方法,应用于光栅的制造,其特征在于,包括下列步骤:在光片上进行第一层光刻与刻蚀,形成第一层台阶;在经过第一层光刻与刻蚀后,在所述第一层台阶的凹槽内进行第二层光刻与刻蚀,形成第二层台阶;在经过第二层光刻与刻蚀后,在所述第二层台阶的凹槽内进行第三层光刻与刻蚀,形成第三层台阶。
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