发明名称 |
一种光栅制造方法及光栅 |
摘要 |
本发明提供一种光栅制造方法及光栅,涉及光栅制造领域。该方法,应用于光栅的制造,包括下列步骤:在光片上进行第一层光刻与刻蚀,形成第一层台阶;在经过第一层光刻与刻蚀后,在所述第一层台阶的凹槽内进行第二层光刻与刻蚀,形成第二层台阶;在经过第二层光刻与刻蚀后,在所述第二层台阶的凹槽内进行第三层光刻与刻蚀,形成第三层台阶。本发明的光栅制造方法通过直接在光片上进行光刻与蚀刻,解决了现有技术耗时长,且二氧化硅除反射外还存在折射,影响光栅亮度的问题。 |
申请公布号 |
CN105445832A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201410247851.6 |
申请日期 |
2014.06.05 |
申请人 |
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
发明人 |
崔金洪 |
分类号 |
G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
G02B5/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京银龙知识产权代理有限公司 11243 |
代理人 |
许静;黄灿 |
主权项 |
一种光栅制造方法,应用于光栅的制造,其特征在于,包括下列步骤:在光片上进行第一层光刻与刻蚀,形成第一层台阶;在经过第一层光刻与刻蚀后,在所述第一层台阶的凹槽内进行第二层光刻与刻蚀,形成第二层台阶;在经过第二层光刻与刻蚀后,在所述第二层台阶的凹槽内进行第三层光刻与刻蚀,形成第三层台阶。 |
地址 |
100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室 |