发明名称 |
低功耗SRAM芯片位线的设计方法及电路结构 |
摘要 |
本发明涉及一种低功耗SRAM芯片位线的设计方法及电路结构,设计方法包括以下步骤:1)在SRAM芯片位线连接电荷泵电路;2)写操作时,先将位线上需要泄放的电荷收集到电荷泵的若干电容中;3)再利用电荷泵的工作原理,让电荷泵电路获得高电压,将电荷泵收集到的电荷重新转移到位线上。与现有技术相比,本发明具有节省功耗的优点。 |
申请公布号 |
CN105448325A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201410424284.7 |
申请日期 |
2014.08.26 |
申请人 |
孤山电子科技(上海)有限公司 |
发明人 |
王旭;吕超 |
分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
主分类号 |
G11C11/413(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种低功耗SRAM芯片位线的设计方法,其特征在于,所述设计方法基于电荷泵技术,包括:1)SRAM单元位线连接电荷泵电路;2)在写操作时,先将所述SRAM单元位线上需要泄放电荷收集到所述电荷泵电路中;3)写操作完成后,利用电荷泵电路获得高电压,将所述电荷泵电路收集到的泄放电荷重新转移到所述SRAM单元位线上。 |
地址 |
200240 上海市闵行区东川路600号微电子楼307室 |