发明名称 低功耗SRAM芯片位线的设计方法及电路结构
摘要 本发明涉及一种低功耗SRAM芯片位线的设计方法及电路结构,设计方法包括以下步骤:1)在SRAM芯片位线连接电荷泵电路;2)写操作时,先将位线上需要泄放的电荷收集到电荷泵的若干电容中;3)再利用电荷泵的工作原理,让电荷泵电路获得高电压,将电荷泵收集到的电荷重新转移到位线上。与现有技术相比,本发明具有节省功耗的优点。
申请公布号 CN105448325A 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201410424284.7 申请日期 2014.08.26
申请人 孤山电子科技(上海)有限公司 发明人 王旭;吕超
分类号 G11C11/413(2006.01)I 主分类号 G11C11/413(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种低功耗SRAM芯片位线的设计方法,其特征在于,所述设计方法基于电荷泵技术,包括:1)SRAM单元位线连接电荷泵电路;2)在写操作时,先将所述SRAM单元位线上需要泄放电荷收集到所述电荷泵电路中;3)写操作完成后,利用电荷泵电路获得高电压,将所述电荷泵电路收集到的泄放电荷重新转移到所述SRAM单元位线上。
地址 200240 上海市闵行区东川路600号微电子楼307室