| 发明名称 | 蚀刻用锡或锡合金填充的凹形结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开避免形成微坑的用锡或锡合金填充的凹形结构的平面化方法。这些结构可作为焊接沉积物用于电子器件中的稳定可靠焊接接头。 | ||
| 申请公布号 | CN103429789B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201280014050.4 | 申请日期 | 2012.02.09 |
| 申请人 | 安美特德国有限公司 | 发明人 | N.伍德;D.特夫斯 |
| 分类号 | C23F1/40(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I;H05K3/00(2006.01)I;C23F1/44(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H05K3/06(2006.01)I | 主分类号 | C23F1/40(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 艾尼瓦尔;李炳爱 |
| 主权项 | 一种蚀刻过量锡或锡合金沉积物的方法，所述方法包括以下步骤：a. 提供具有用锡或锡合金(105a)填充的凹形结构和过量锡或锡合金层(106)的基片(101)，b. 提供蚀刻水溶液，所述水溶液由氢氧根离子源和硝基取代的芳族磺酸组成，并且具有大于7的pH值，其中氢氧根离子的浓度为20至30g/l，c. 使所述基片与所述蚀刻水溶液接触，用于去除用锡或锡合金(105a)填充的所述凹形结构顶上的所述过量锡或锡合金层。 | ||
| 地址 | 德国柏林 | ||