一种检测晶片是否异常的方法

摘要

本发明实施例公开了一种检测晶片是否异常的方法，该方法包括：在待检测的各晶片上分别设定一个相互对应的标志位置，对应标志位置处的数据为晶片上所测数据的理论最大值；在待检测的各晶片上除了标志位置外再各设定多个一一相互对应的位置；采集各晶片上所设定的标志位置以及其他多个位置处的数据并记录；对各晶片上所采集的数据求平均，得出各晶片所对应的均值；求每一晶片上标志位置处的数据与该晶片所对应的均值的差值；判断各晶片所对应的差值是否超出预设范围，如果否，则该晶片正常，如果是，则该晶片异常。通过本发明所提供的方法，可有效地检测出异常晶片，从而可避免更大的损失。

主权项

一种检测晶片是否异常的方法，其特征在于，包括：在待检测的各晶片上分别设定一个相互对应的标志位置，对应标志位置处的数据为晶片上所测数据的理论最大值，所述相互对应的标志位置为将任何两个晶片上下相对重叠放置后，其上的标志位置也相互重合；在待检测的各晶片上除了标志位置外再各设定多个一一相互对应的位置，所述一一相互对应的位置为将任何两个晶片上下相对重叠放置后，其上的多个位置也一一相互重合；采集各晶片上所设定的标志位置以及其他多个位置处的数据并记录；对各晶片上所采集的数据求平均，得出各晶片所对应的均值；求每一晶片上标志位置处的数据与该晶片所对应的均值的差值；判断各晶片所对应的差值是否超出预设范围，如果否，则该晶片正常，如果是，则该晶片异常,所述待检测的各晶片为同一工艺步骤之后的晶片。