具有栅极结构的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括有源层、栅极结构、间隔件和源极/漏极层。有源层位于衬底上并且包括锗。有源层包括具有第一锗浓度的第一区和位于第一区的两侧的第二区。第二区的顶表面从第二区的邻近第一区的第一部分朝着第二区的远离第一区的第二部分变高，并且第二区具有小于第一锗浓度的第二锗浓度。栅极结构形成在有源层的第一区上。间隔件形成在有源层的第二区上，并且接触栅极结构的侧壁。源极/漏极层邻近有源层的第二区。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底上的包括锗的有源层，该有源层包括：第一区，其具有第一锗浓度；以及第二区，其位于第一区的两侧，第二区的顶表面高于第一区的顶表面，第二区具有邻近第一区的第一部分和高于第一区的顶表面的第二部分，并且第二区的第二锗浓度小于第一锗浓度；栅极结构，其位于有源层的第一区上；间隔件，其位于有源层的第二区上，间隔件接触栅极结构的侧壁；以及源极/漏极层，其邻近有源层的第二区。