纳米结构制造过程中的导电助层的沉积和选择性移除

摘要

本发明公开了一种制造一个或多个纳米结构的方法，所述方法包括：在基底的上表面沉积导电层；在所述导电层上沉积带图案的催化剂层；在所述催化剂层上生长一个或多个纳米结构；以及选择性地移除位于一个或多个纳米结构之间和周围的导电助层。本发明还公开了一种器件，包括基底，其中所述基底包括被一个或多个绝缘区域分开的一个或多个裸露金属岛；沉积在所述基底上的导电助层，所述导电助层至少覆盖一个或多个裸露金属岛或绝缘区域中的一部分；沉积在所述导电助层上的催化剂层；以及沉积在所述催化剂层上的一个或多个纳米结构。

主权项

一种在基底上制造一个或多个纳米结构的方法，其中，所述方法包括：在基底上沉积催化剂层；在所述催化剂层上沉积绝缘层；在所述绝缘层上设置连续图形化的导电助层；创建从所述导电助层到所述催化剂层贯穿所述绝缘层的通孔；通过所述通孔在所述催化剂层上生长一个或多个纳米结构；以及在生长一个或多个纳米结构之后，选择性地移除所述导电助层。