发明名称 |
封装上封装堆叠微电子结构 |
摘要 |
封装上封装堆叠微电子结构包括采用倒装配置附连到彼此的一对微电子封装。在一个实施例中,封装上封装堆叠微电子结构可包括第一和第二微电子封装,每个包括具有在每个微电子封装衬底的第一表面上形成的至少一个封装连接接合垫的衬底,并且每个具有电连接到每个微电子封装衬底第一表面的至少一个微电子设备,其中该第一和第二微电子封装利用在第一微电子封装连接接合垫与第二微电子封装连接接合垫之间延伸的至少一个封装对封装互连结构而连接到彼此。 |
申请公布号 |
CN105453261A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201480003741.3 |
申请日期 |
2014.07.07 |
申请人 |
英特尔IP公司 |
发明人 |
T.梅耶尔;G.奥夫纳 |
分类号 |
H01L25/065(2006.01)I;H01L23/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L25/065(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
徐予红;付曼 |
主权项 |
一种封装上封装堆叠微电子结构,其包括:第一微电子封装,其包括衬底,所述衬底具有第一表面和在微电子封装衬底第一表面上形成的至少一个封装连接接合垫,并且具有电连接到所述微电子封装衬底第一表面的至少一个微电子设备;第二微电子封装,其包括衬底,所述衬底具有第一表面和在每个微电子封装衬底第一表面上形成的至少一个封装连接接合垫,并且具有电连接到所述微电子封装衬底第一表面的至少一个微电子设备;和至少一个封装对封装互连结构,其在所述第一微电子封装连接接合垫与所述第二微电子封装连接接合垫之间延伸。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |