发光元件

摘要

一种包括半导体叠层结构的发光元件，该半导体叠层结构包括氮化物半导体，并且通过层叠第一半导体层、发光层和第二半导体层而形成，第一半导体层为第一导电型，第二半导体层为不同于第一导电型的第二导电型，第一半导体层通过去除第二半导体层和发光层的一部分而暴露，凹部形成在第一半导体层的暴露部中，第一电极形成在凹部上并且与第一半导体层欧姆接触，而第二电极与第二半导体层欧姆接触并且围绕第一电极形成。

主权项

一种发光元件，所述发光元件包括：半导体叠层结构，所述半导体叠层结构包括氮化物半导体，并且通过层叠第一半导体层、发光层和第二半导体层而形成，所述第一半导体层暴露在通过去除所述第二半导体层和所述发光层的一部分而形成的开口中，所述第一半导体层为第一导电型，所述第二半导体层为不同于所述第一导电型的第二导电型；凹部，所述凹部形成在所述开口以及所述第一半导体层的暴露部中；第一电极，所述第一电极形成在所述凹部上并包括与所述第一半导体层欧姆接触的侧表面；第二电极，所述第二电极与所述第二半导体层欧姆接触并且所述第二电极围绕所述第一电极形成，并且，所述第二电极包括在所述第二半导体层上的接触电极以及在所述接触电极的区域内的上电极；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第一电极和所述第二电极；以及反射层，所述反射层位于所述绝缘层的除所述第一电极和所述上电极上方的部分以外的部分上，其中，所述凹部包括倾斜表面，所述倾斜表面在平面图中相对于所述半导体叠层结构的深度方向倾斜。