非均匀沟道无结晶体管

摘要

本发明公开了一种在基板上形成半导体层的方法。该方法包括将半导体层图案化成鳍状结构。该方法包括在鳍状结构上方形成栅极介电层和栅电极层。该方法包括图案化栅极介电层和栅电极层，从而使得所形成的栅极结构包围鳍状结构的部分。该方法包括实施多个注入工艺，从而在鳍状结构中形成源极/漏极区域。实施多个注入工艺，从而使得鳍状结构中的掺杂轮廓是非均匀的，并且被栅极结构包围的鳍状结构的部分的第一区域具有比该鳍状结构的其他区域更轻的掺杂浓度级别。本发明还提供了一种非均匀沟道无结晶体管。

主权项

一种半导体器件，包括：位于基板上方的半导体层，所述半导体层具有鳍状结构；位于所述鳍状结构上方的栅极结构，所述栅极结构具有栅极介电层和栅电极层，所述栅极结构包围着所述鳍状结构的部分；以及位于所述鳍状结构中的源极/漏极区域；其中，所述鳍状结构中的掺杂轮廓是非均匀的，并且其中，被所述栅极结构包围的所述鳍状结构的部分的第一区域具有比所述鳍状结构的其余部分更轻的掺杂浓度级别；其中，所述鳍状结构包括第一区域、第二区域以及第三区域，并且其中：所述第一区域被所述栅极结构包围并且具有第一掺杂浓度级别；所述第二区域与所述第一区域邻近设置，并且部分地被所述栅极结构包围，并且具有第二掺杂浓度级别，所述第二掺杂浓度级别大于所述第一掺杂浓度级别；以及所述第三区域与所述第二区域邻近设置，但未被所述栅极结构包围，并且具有第三掺杂浓度级别，所述第三掺杂浓度级别大于所述第二掺杂浓度级别，其中，所述第一区域、所述第二区域、和所述第三区域都具有相同的掺杂极性，其中，所述第一区域物理接触所述第二区域并且所述第二区域物理接触所述第三区域，并且其中，所述第二区域在所述鳍状结构内从所述栅极结构下方横向延伸到所述栅极结构的侧壁上的隔离件的下方，并且所述第三区域在所述鳍状结构内从所述隔离件的下方横向延伸到所述隔离件的远离所述栅极结构的外边缘的外侧，其中，所述第三区域包括所述源极/漏极区域，其中，所述第一区域和所述栅极结构具有相应的朝向相同方向延伸的第一横向尺寸和第二横向尺寸，并且其中，所述第一横向尺寸为所述第二横向尺寸的1/4至所述第二横向尺寸的7/8的范围内。