一种高晶体质量超细砷化铟纳米线生长方法

摘要

本发明公开了一种高晶体质量超细砷化铟纳米线的生长方法，其包括以下步骤：步骤1：将去除表面氧化层的衬底放在分子束外延设备样品架上，所述分子束外延设备装有铟、砷和银源；步骤2：设定衬底温度为第一设定温度，待温度稳定后，打开银源挡板，以使得在衬底上沉积一定厚度的银薄膜；步骤3：关闭银源挡板，将衬底升温至第二设定温度，待温度稳定后保持第一预定时间，以提高银薄膜的晶体质量；步骤4：然后再将衬底升温至第三设定温度，待温度稳定后保持第二预定时间，使得所述银薄膜分散成银纳米颗粒；步骤5：将铟源及砷源升至一定温度，以通过砷源和铟源的所述温度调节二者的束流比在预定范围内；步骤6：将衬底温度降至砷化铟纳米线的生长温度；步骤7：待温度稳定后，同时打开铟源和砷源挡板，在沉积的银纳米颗粒上生长超细砷化铟纳米线。本发明采用银做催化剂可以降低砷化铟纳米线的生长成本。

主权项

一种高晶体质量超细砷化铟纳米线的生长方法，其包括以下步骤：步骤1：将去除表面氧化层的硅衬底放在分子束外延设备样品架上，所述分子束外延设备装有铟、砷和银源；步骤2：设定衬底温度为第一设定温度，待温度稳定后，打开银源挡板，以使得在衬底上沉积一定厚度的银薄膜；步骤3：关闭银源挡板，将衬底升温至第二设定温度，待温度稳定后保持第一预定时间，以提高银薄膜的晶体质量；步骤4：然后再将衬底升温至第三设定温度，待温度稳定后保持第二预定时间，使得所述银薄膜分散成银纳米颗粒；步骤5：将铟源及砷源升至一定温度，以通过砷源和铟源的所述温度调节二者的束流比在预定范围内；步骤6：将衬底温度降至砷化铟纳米线的生长温度；步骤7：待温度稳定后，同时打开铟源和砷源挡板，在沉积的银纳米颗粒上生长超细砷化铟纳米线；其中，所述第二设定温度为250℃，所述第一预定时间为10小时；所述第三设定温度为600‑690℃，第二预定时间为20分钟。