ITO基板及制备方法、OLED器件及制备方法

摘要

本发明适用于显示技术领域，提供了一种ITO基板及制备方法、OLED器件及其制备方法。所述ITO基板包括基板和沉积在所述基板上的ITO，所述ITO的上边角和与所述上边角相连的侧壁平缓过渡，且所述ITO的下表面大于上表面。所述ITO基板的制备方法，包括以下步骤：提供一基板，并在所述基板上沉积ITO薄膜；在所述ITO薄膜上沉积光刻胶层，所述光刻胶层为负性光刻胶；对所述光刻胶层依次进行曝光、显影处理，得到侧壁下缘形成弧形的图案化光刻胶层，且所述图案化光刻胶的下表面小于上表面；对所述图案化光刻胶层下的所述ITO薄膜进行刻蚀处理形成ITO图案；进行去胶处理去除所述图案化光刻胶层，得到ITO基板。

主权项

一种ITO基板，包括基板和沉积在所述基板上的ITO，其特征在于，所述ITO的上边角和与所述上边角相连的侧壁平缓过渡，且所述ITO的下表面大于上表面。