发明名称 一种空腔结构化硅-碳核壳纳米线阵列、制备方法及其用途
摘要 本发明涉及一种空腔结构化硅-碳核壳纳米线阵列、制备方法及其用途。该硅-碳核壳纳米线阵列包括自支撑结构和组成该结构的有序排列的硅-碳核壳纳米线,其中,核壳纳米线的核壳之间具有内部空腔。该纳米线阵列的制备方法包括:对硅晶片进行化学刻蚀,在硅晶片表面上形成硅纳米线阵列;在空气中加热处理,使硅纳米线表面形成氧化硅层;通过化学气相沉积法在氧化硅包覆的硅纳米线上沉积碳包覆层,去除氧化硅层后制备核壳之间具有空腔的硅-碳核壳纳米线阵列;利用碱性溶液将空腔结构化硅-碳核壳纳米线阵列从硅晶片上剥离。本发明所得自支撑硅-碳核壳纳米线阵列可直接用作活性负极,其具有容量大、循环稳定和循环寿命长的特点,有实际应用价值。
申请公布号 CN105449173A 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201410437764.7 申请日期 2014.08.29
申请人 国家纳米科学中心 发明人 李祥龙;王斌;智林杰
分类号 H01M4/36(2006.01)I;H01M4/62(2006.01)I;H01M4/134(2010.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;H01M10/0525(2010.01)I 主分类号 H01M4/36(2006.01)I
代理机构 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人 巩克栋;侯潇潇
主权项 一种空腔结构化硅‑碳核壳纳米线阵列,其特征在于,该硅‑碳核壳纳米线阵列包括自支撑结构和组成该结构的有序排列的硅‑碳核壳纳米线,所述硅‑碳核壳纳米线的核壳之间具有内部空腔。
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