发明名称 |
晶体管及其形成方法 |
摘要 |
一种晶体管及其形成方法,其中,晶体管的形成方法,包括:提供包括相邻接的第一区域、第二区域和第三区域的半导体衬底;进行阱区离子注入,在所述半导体衬底内形成阱区;进行沟道区离子注入,在第一区域中的阱区表面内形成第一掺杂区;在所述第一区域的半导体衬底上形成栅极结构,所述栅极结构覆盖第一区域中的第一掺杂区;进行浅掺杂离子注入,在栅极结构一侧的第二区域的半导体衬底内形成浅掺杂源区,在栅极结构另一侧的第三区域的半导体衬底内形成浅掺杂漏区;在浅掺杂源区上形成抬高源区,在浅掺杂漏区上形成抬高漏区。本发明的方法减小了源区和漏区与沟道区以及衬底之间的寄生电容。 |
申请公布号 |
CN105448916A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201410437401.3 |
申请日期 |
2014.08.29 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
邱慈云;施雪捷;辜良智;吕瑞霖;魏琰;刘欣;蔡建祥 |
分类号 |
H01L27/092(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/092(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
应战;骆苏华 |
主权项 |
一种晶体管的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括相邻接的第一区域、第二区域和第三区域,第二区域和第三区域分别位于第一区域的两侧;进行阱区离子注入,在所述第一区域、第二区域和第三区域的半导体衬底内形成阱区;进行沟道区离子注入,在第一区域中的阱区表面内形成第一掺杂区,所述第一掺杂区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相同;在所述第一区域的半导体衬底上形成栅极结构,所述栅极结构覆盖第一区域中的第一掺杂区;进行浅掺杂离子注入,在栅极结构一侧的第二区域的半导体衬底内形成浅掺杂源区,在栅极结构另一侧的第三区域的半导体衬底内形成浅掺杂漏区,所述浅掺杂源区和浅掺杂漏区的掺杂类型与阱区的掺杂类型相反;在浅掺杂源区上形成抬高源区,抬高源区中掺杂有杂质离子,抬高源区的顶部表面高于半导体衬底的表面,所述抬高源区和浅掺杂源区构成源区,在浅掺杂漏区上形成抬高漏区,抬高漏区中掺杂有杂质离子,抬高漏区的顶部表面高于半导体衬底的表面,所述抬高漏区和浅掺杂漏区构成漏区。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |