| 摘要 |
본 발명의 실시예들에 따른 방법은, 사파이어 기판의 제1 표면 상에, n형 영역과 p형 영역 사이에 배치된 발광 층을 포함하는 반도체 구조체를 성장시키는 단계를 포함한다. 반도체 구조체는 복수의 LED로 형성된다. 사파이어 기판에 크랙들이 형성된다. 크랙들은 사파이어 기판의 제1 표면으로부터 연장되고, 사파이어 기판의 전체 두께를 관통하지는 않는다. 사파이어 기판에 크랙들을 형성한 이후에, 사파이어 기판은 사파이어 기판의 제2 표면으로부터 씨닝된다. 제2 표면은 제1 표면에 대향한다. |
