| 发明名称 | 一种半导体发光器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括基板和固定倒装于基板上方的半导体发光芯片；所述基板的上表面上设有互不接触的第一导电型掺杂区域和第二导电型掺杂区域；所述第一导电型掺杂区域的一端设有第一电极，用于与电源正极连接，第二导电型掺杂区域的一端设有第二电极，用于与电源负极连接；所述半导体发光芯片上设有第三电极和第四电极，其中，第三电极与基底上的第二导电型掺杂区域接触，第四电极与基底上的第一导电型掺杂区域接触。本发明还提供了所述半导体发光器件的制备方法。本发明提供的半导体发光器件，通过在半导体发光芯片内集成半导体致冷机构，同时解决了LED芯片的集成度和散热性的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN102842663B | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201110169369.1 | 申请日期 | 2011.06.22 |
| 申请人 | 比亚迪股份有限公司 | 发明人 | 钟泽;薛进营;赵圣哲;周维 |
| 分类号 | H01L33/14(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/14(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件包括基板和固定倒装于基板上方的半导体发光芯片；所述基板的上表面上设有互不接触的第一导电型掺杂区域和第二导电型掺杂区域；所述第一导电型掺杂区域的一端设有第一电极，用于与电源正极连接，第二导电型掺杂区域的一端设有第二电极，用于与电源负极连接；所述半导体发光芯片上设有第三电极和第四电极，其中，第三电极与基板上的第二导电型掺杂区域接触，第四电极与基板上的第一导电型掺杂区域接触。 | ||
| 地址 | 518118 广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号 | ||