发明名称 纳米孔阵列的制作方法
摘要 本发明提供了一种纳米孔阵列的制造方法,包括:施加第一腐蚀液,在基材的两面形成不穿通的多个凹槽或者盲孔;在基材的两面上施加酸碱性不同的第二腐蚀液和第三腐蚀液,继续腐蚀凹槽或者盲孔直至其相互穿通,第二腐蚀液与第三腐蚀液发生中和而停止腐蚀,最终形成纳米孔阵列。依照本发明的纳米孔阵列的制造方法,通过在预先制备好盲孔的基材两面分别施加酸碱性不同的腐蚀液,利用酸碱中和的化学自停止来控制纳米孔的腐蚀,具有简单低成本并且高效率的优点。
申请公布号 CN103449355B 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201210177735.2 申请日期 2012.05.31
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 董立军;赵超
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 代理人 陈红
主权项 一种纳米孔阵列的制造方法,包括:施加第一腐蚀液,在基材的两面形成不穿通的多个凹槽或者盲孔;在基材的两面上施加酸碱性不同的第二腐蚀液和第三腐蚀液,继续腐蚀凹槽或者盲孔直至其相互穿通,第二腐蚀液与第三腐蚀液发生中和而停止腐蚀,最终形成纳米孔阵列,其中,在基材的两面上施加酸碱性不同的第二腐蚀液和第三腐蚀液的步骤进一步包括:将基材粘贴在第一开口容器的一端;提供尺寸大于第一开口容器的第二开口容器,其中装有第二腐蚀液;将第一容器以及基材置入第二开口容器中;在第一开口容器内倒入第三腐蚀液。
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