一种MEMS器件及其制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供覆盖晶圆，在覆盖晶圆中形成有第一凹槽；步骤S2：在所述第一凹槽的底部形成具有若干间隔设置的凸起图案的掩膜层；步骤S3：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述第一凹槽，以在第一凹槽中形成所述凸起图案；步骤S4：在所述覆盖晶圆上沉积隔离层，以覆盖所述覆盖晶圆和所述第一凹槽。在所述方法中首先提供覆盖晶圆，在所述覆盖晶圆中形成浅凹槽，然后在所述凹槽中形成凸起图案，以所述凸起图案为掩膜蚀刻所述凹槽，以在所述凹槽中形成所述凸起图案，然后沉积SiN层，所述凸起图案能够降低所述凸起图案和要沉积的隔离层之间的应力，避免所述隔离层发生脱落，以提高器件的性能和良率。

主权项

一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供覆盖晶圆，在所述覆盖晶圆中形成有第一凹槽；步骤S2：在所述第一凹槽的底部形成具有若干间隔设置的凸起图案的掩膜层；步骤S3：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述第一凹槽，以在所述第一凹槽中形成凸起图案；步骤S4：在所述覆盖晶圆上沉积隔离层，以覆盖所述覆盖晶圆和所述第一凹槽。