动态随机存取存储器及其制造方法

摘要

一种动态随机存取存储器及其制造方法，该动态随机存取存储器包括硅基板、第一隔离沟渠结构、第二隔离沟渠结构、由第一与第二隔离沟渠结构定义的有源区、位于硅基板内的埋入式字线、位于硅基板内的埋入式位线与电容器。每个第二隔离沟渠结构之间设置有两个埋入式字线，以将有源区分为一个位于两个埋入式字线之间的位线接触窗以及两个电容器接触窗。埋入式位线则位于埋入式字线上方并与有源区的位线接触窗电性连接。电容器设置在有源区上并与电容器接触窗电性连接。在埋入式位线与硅基板之间还有氧化衬层。本发明能改善DRAM的读出裕度。

主权项

一种动态随机存取存储器，包括：一硅基板；多个第一隔离沟渠结构，沿一第一方向平行排列在该硅基板内；多个第二隔离沟渠结构，沿一第二方向平行排列在该硅基板内，且该多个第一隔离沟渠结构与该多个第二隔离沟渠结构定义出多个有源区；多个埋入式字线，沿该第二方向平行排列在该硅基板内，且每个第二隔离沟渠结构之间设置有两个埋入式字线，以将每个有源区分为一个位于所述两个埋入式字线之间的位线接触窗以及两个电容器接触窗；多个埋入式位线，沿一第三方向平行排列在该硅基板内，且该多个埋入式位线位于该多个埋入式字线上方并与该多个有源区的该位线接触窗电性连接；多个电容器，设置在该多个有源区上并与该多个电容器接触窗电性连接；以及一氧化衬层，设置在该多个埋入式位线与该硅基板之间。