半导体装置

摘要

半导体装置具备：第1、第2、第3半导体区域；第1、第2电极；设置在第1半导体区域上并具有第4半导体区域和第5半导体区域的第1整流元件；设置在未设置第2半导体区域并且未设置第1整流元件的第1半导体区域上并具有第6半导体区域和第7半导体区域的第2整流元件；设置在第1半导体区域的上侧、与第3半导体区域电连接、与第1整流元件的第4半导体区域中的任一第4半导体区域及第2整流元件的第6半导体区域的任一第6半导体区域电连接的第3电极；以及设置在第1半导体区域的上侧、与第2电极电连接、与第1整流元件的任一第4半导体区域以外的第4半导体区域及第2整流元件的任一第6半导体区域以外的第6半导体区域电连接的第4电极。

主权项

一种半导体装置，具备：第1导电型的第1半导体区域；第1电极，设置在所述第1半导体区域之下；第2导电型的第2半导体区域，选择性地设置在所述第1半导体区域之上；第1导电型的第3半导体区域，选择性地设置在所述第2半导体区域之上；第2电极，隔着第1绝缘膜而设置在所述第1半导体区域、所述第2半导体区域及所述第3半导体区域；第1整流元件，隔着第2绝缘膜设置在未配置所述第2半导体区域、所述第3半导体区域、所述第1绝缘膜及所述第2电极的所述第1半导体区域之上，并具有交替地排列有第4半导体区域、及导电型与所述第4半导体区域不同的第5半导体区域的构造；第2整流元件，隔着所述第2绝缘膜设置在未配置所述第2半导体区域、所述第3半导体区域、所述第1绝缘膜及所述第2电极并且未配置所述第1整流元件的所述第1半导体区域之上，并具有交替地排列有第6半导体区域、及导电型与所述第6半导体区域不同的第7半导体区域的构造；第3电极，设置在所述第1半导体区域的上侧，与所述第3半导体区域电连接，并与所述第1整流元件的所述第4半导体区域中的任一个第4半导体区域及所述第2整流元件的所述第6半导体区域的任一个第6半导体区域电连接；以及第4电极，设置在所述第1半导体区域的上侧，与所述第2电极电连接，包围所述第3电极，与所述第1整流元件的所述任一个第4半导体区域以外的所述第4半导体区域、及所述第2整流元件的所述任一个第6半导体区域以外的所述第6半导体区域电连接。