一种提高鲁棒性的RF-LDMOS器件结构

摘要

本发明公开了一种提高鲁棒性的RF-LDMOS器件结构，在传统RF-LDMOS器件的衬底和漏区之间增加埋层掺杂区，通过调节该埋层掺杂区的深度和浓度，可以优化RF-LDMOS器件在击穿条件下漏区的电场分布，增加由漏区垂直向衬底走电流的能力，从而达到快速泄放过冲电流，保护器件的目的，使器件具有更好的鲁棒性，本发明结构简单，易于实现，具有良好的应用前景。

主权项

一种提高鲁棒性的RF‑LDMOS器件结构，包括衬底（1）、设于衬底（1）上的外延层（2）和设于外延层（2）上的绝缘层（13）；所述外延层（2）中设有阱区（4）和漂移区（3），所述阱区（4）内设有源区（6）和体区（7），所述漂移区（3）内设有漏区（8）；所述源区（6）和体区（7）通过源区金属（11）引出源极，所述漏区（8）通过漏区金属（12）引出漏极；所述源区金属（11）通过沟槽（5）与衬底（1）相连，所述沟槽（5）填充有导电介质；所述绝缘层（13）内设有栅极（9）和场板（10），所述栅极（9）位于阱区（4）和漂移区（3）之间，所述场板（10）位于栅极（9）的上方靠近漂移区（3）的一侧；其特征在于：所述衬底（1）和漏区（8）之间设有埋层掺杂区（14），所述埋层掺杂区（14）的宽度小于漂移区（3）的宽度。