一种半导体器件的制作方法

摘要

本申请提供了一种半导体器件的制作方法。该制作方法包括：步骤S1，在半导体衬底中设置浅沟槽隔离结构，利用浅沟槽隔离结构隔离出NMOS区和PMOS区；步骤S2，在NMOS区和PMOS区上形成栅极结构、位于栅极结构上的硬掩膜层、位于栅极结构侧壁上的偏移侧墙；步骤S3，在PMOS区欲形成源极区和漏极区的位置设置硅锗部；步骤S4，在偏移侧墙的裸露表面上设置主侧墙；步骤S5，设置PMOS区和NMOS区的源极区、漏极区、金属硅化物层；步骤S6，湿法刻蚀部分硬掩膜层和部分主侧墙；以及步骤S7，干法刻蚀剩余的硬掩膜层和主侧墙。该制作方法避免了对金属硅化物层和/或锗硅部的过分损伤；而且还能保证硬掩膜层的完全刻蚀。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：步骤S1，在半导体衬底中设置浅沟槽隔离结构，利用所述浅沟槽隔离结构隔离出NMOS区和PMOS区；步骤S2，在所述NMOS区和所述PMOS区上形成栅极结构、位于所述栅极结构上的硬掩膜层、位于所述栅极结构侧壁上的偏移侧墙；步骤S3，在所述PMOS区欲形成源极区和漏极区的位置设置硅锗部；步骤S4，在所述偏移侧墙的裸露表面上设置主侧墙；步骤S5，设置所述PMOS区和所述NMOS区的源极区、漏极区、金属硅化物层；步骤S6，湿法刻蚀部分所述硬掩膜层和部分所述主侧墙；以及步骤S7，干法刻蚀剩余的所述硬掩膜层和所述主侧墙。