| 发明名称 | 场效应功率晶体管的金属化结构 | ||
| 摘要 | 涉及一种基于在绝缘衬底(5)或本征的半导体衬底上的横向半导体层(3，4)的场效应功率晶体管(1)的金属化结构。所述横向半导体层(3，4)具有不同的带间隔，使得在所述横向半导体层的半导体边界层(6)中能够形成二维电子气。在源极电极接触面(7)与漏极电极接触面(8)之间或在源极(S)与漏极(D)之间施加电压的情况下电流能够流过横向半导体边界层(6)。能够通过栅极电极接触面(9)借助于栅极电压控制在源极电极接触面(7)与漏极电极接触面(8)之间的通道区域中的电流强度。 | ||
| 申请公布号 | CN105448966A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510596082.5 | 申请日期 | 2015.09.17 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | G·普雷科托 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 郑立柱 |
| 主权项 | 一种基于在绝缘衬底(5)或本征或掺杂半导体衬底上的横向半导体层(3，4)的场效应功率晶体管(1)的金属化结构，其中所述横向半导体层(3，4)具有不同的带间隔，使得在所述横向半导体层的半导体边界层(6)中能够形成二维电子气，所述二维电子气在源极电极接触面(7)与漏极电极接触面(8)之间、在将电压施加在源极(S)与漏极(D)之间的情况下能够流过所述横向半导体的边界层，其中能够通过栅极电极接触面(9)借助于栅极电压来控制在所述源极电极接触面(7)与所述漏极电极接触面(8)之间的通道区域中的电流强度，其中在所述半导体层(3，4)的半导体表面(10)上的所述源极电极接触面(7)、所述漏极电极接触面(8)和所述栅极电极接触面(9)的金属化结构具有多个金属化层，在所述多个金属化层之间在横向方向上布置绝缘层，其特征在于，不仅针对源极电极金属化结构(7)还针对漏极电极金属化结构(8)中的一个，所述金属化层具有带有接触爪(12)的梳状结构(11)，其中所述源极电极金属化结构(7)和所述漏极电极金属化结构(8)的所述接触爪(12)相互间隔地啮合并且每个接触爪(12)具有接触爪底(13)和接触爪尖(14)，其中所述接触爪底(13)的宽度(b)大于所述接触爪尖(14)的宽度。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||