一种晶圆级芯片封装体的制作方法

摘要

一种晶圆级芯片封装体的制作方法属于半导体芯片封装领域。流程如下：A)提供一晶圆，功能面为正面。正面具有第一钝化层、若干焊盘，焊盘上形成有凸点下金属层；B)晶圆正面切割道位置处形成切割道第一开口C)第一开口内沉积一层第二钝化层；D)第二钝化层上涂覆第一光阻层，并在与焊盘区域对应处形成第一光阻层、第二开口；E)以第一光阻层为掩膜，暴露凸点下金属层；F)第二开口内凸点下金属层上沉积焊料层，G)去除第一光阻层；H)形成微凸点；I)晶圆背面减薄至芯片最终厚度，将晶圆分立为单颗芯片。本发明可避免薄晶圆机械切割时发生裂片，同时只需在芯片之间留出较窄的切割道，提高了晶圆的有效利用率，并阻绝外界环境的侵蚀。

主权项

一种晶圆级芯片封装体的制作方法，其特征在于，其工艺流程如下：A)提供一晶圆(100)，所述晶圆功能面为正面，与其相反的一面为反面；正面具有第一钝化层(100b)、若干焊盘(100a)，所述焊盘上形成有凸点下金属层(100c)；B)于所述晶圆(100)正面切割道位置处形成切割道第一开口(110)；C)于所述晶圆(100)正面及切割道第一开口(110)内沉积一层第二钝化层(101)；D)于第二钝化层(101)上涂覆第一光阻层(102)，并通过曝光、显影在与焊盘区域对应处形成第一光阻层第二开口(120)以暴露底部的第二钝化层(101)；E)以第一光阻层(102)为掩膜，暴露凸点下金属层(100c)；F)于第一光阻层第二开口(120)内凸点下金属层(100c)上沉积焊料层(103)；G)去除第一光阻层(102)；H)将所述焊料层(103)进行回流形成微凸点(104)；I)于所述晶圆(100)背面进行研磨减薄至芯片最终厚度，将晶圆分立为单颗芯片。