| 发明名称 | 氮化铌薄膜的制备方法、SQUID器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化铌薄膜的制备方法、SQUID器件及其制备方法，包括：在衬底上采用磁控溅射方式依次外延生长第一氮化铌材料层、第一绝缘材料层、第二氮化铌材料层的三层薄膜结构；通过刻蚀形成底电极图形；形成约瑟夫森结；沉积第二绝缘材料层；制备旁路电阻；沉积第三氮化铌材料层，并形成顶电极。该SQUID器件包括：衬底，制备于所述衬底上的超导环，制备于所述衬底上并嵌于所述超导环的环路上的约瑟夫森结，所述约瑟夫森结包括底电极、绝缘材料层和对电极。本发明提供一种制备高质量氮化铌薄膜的方法，并在此基础上制备出基于氮化铌/氮化铝/氮化铌约瑟夫森结的SQUID器件，使得SQUID器件可以在高于4.2K的温度下工作，降低了超导SQUID器件的制冷成本。 | ||
| 申请公布号 | CN105449094A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201511018443.4 | 申请日期 | 2015.12.29 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 刘全胜;王会武;张栖瑜;应利良;王镇 |
| 分类号 | H01L39/12(2006.01)I;H01L39/22(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I | 主分类号 | H01L39/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 余明伟 |
| 主权项 | 一种氮化铌薄膜的制备方法，其特征在于，所述氮化铌薄膜的制备方法至少包括：提供一衬底，在所述衬底上采用直流磁控溅射的方式外延生长氮化铌薄膜。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号 | ||