发明名称 |
采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法,目的在于:提高能量转换效率和封装密度,有利于集成,实用性强,设计新颖合理,方便实现,本发明的电池所采用的技术方案为:包括由SiC基片构成的衬底和设置在所述衬底上部的N型SiC外延层,N型外延层上刻蚀形成多个台阶,在台阶顶部的中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区,在台阶底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区,所述N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的N型欧姆接触电极,所述P型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的P型欧姆接触电极;所述台阶顶部除去N型欧姆接触电极的区域设置有α放射源。 |
申请公布号 |
CN105448375A |
申请公布日期 |
2016.03.30 |
申请号 |
CN201510786191.3 |
申请日期 |
2015.11.16 |
申请人 |
长安大学 |
发明人 |
张林;谷文萍;胡笑钏;张赞 |
分类号 |
G21H1/06(2006.01)I |
主分类号 |
G21H1/06(2006.01)I |
代理机构 |
西安通大专利代理有限责任公司 61200 |
代理人 |
徐文权 |
主权项 |
一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池,其特征在于,包括由SiC基片构成的衬底(1),衬底(1)上部设置有N型SiC外延层(2),所述N型SiC外延层(2)上设有若干个台阶,相邻台阶之间设有沟槽,所述若干个台阶的顶部中间位置均注入形成有N型SiC欧姆接触掺杂区(3),N型SiC欧姆接触掺杂区(3)上端与台阶顶部齐平,N型SiC欧姆接触掺杂区(3)上端设置有N型欧姆接触电极(5),所述N型欧姆接触电极(5)的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区(3)形状相同,所述N型欧姆接触电极(5)两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源(7);所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区(4),P型SiC欧姆接触掺杂区(4)的上部设置有P型欧姆接触电极(6),所述P型欧姆接触电极(6)形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区(4)形状相同。 |
地址 |
710064 陕西省西安市碑林区南二环中段33号 |