芯片级封装LED成型方法及芯片级封装LED

摘要

本发明公开了一种芯片级封装LED及成型方法。芯片级封装LED包括倒装晶片，在倒装晶片的侧面和顶面封装有封装胶；倒装晶片包括倒装晶片本体和电极，在电极上设有延伸电极，延伸电极的面积大于电极的面积，在倒装晶片本体的下方设有白胶层。芯片级封装LED成型方法包括：让封装胶包裹在多个倒装晶片上；提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；固定半成品；在倒装晶片涂光刻胶，在光刻胶盖掩膜版；曝光；显影；蒸镀；清洗；涂白胶；切割；分离。本发明组装方便、可靠，提高了电连接的可靠性，有效的防止了锡膏上爬，防止出现短路的现象，提高了反射率，从而提高出光率，简化了成型工艺。

主权项

芯片级封装LED成型方法，其特征在于包括如下步骤：（1）让封装胶包裹在多个倒装晶片的侧面和顶面上；（2）提供第二载台，在第二载台上铺设第二隔离膜；将封装胶的顶面固定到第二隔离膜上，让倒装晶片的电极朝上；（3）在倒装晶片电极的一侧涂光刻胶，在光刻胶上盖掩膜版；（4）曝光；（5）显影：通过显影液溶解掉不需要的光刻胶，不需要的光刻胶为与倒装晶片电极对应的溶解区域，溶解区域的面积大于电极的面积；（6）在溶解区域内蒸镀金属层形成延伸电极；（7）清洗掉光刻胶；（8）涂白胶；（9）将步骤（8）的半成品切割成芯片级封装LED；（10）将第二载台与第二隔离膜分离；（11）将第二隔离膜与芯片级封装LED分离。