高电子迁移率晶体管及其形成方法

摘要

本发明公开了一种高电子载流子迁移率晶体管(HEMT)包括第一III-V化合物层。第二III-V化合物层设置在第一III-V化合物层上并且在成分上与第一III-V化合物层不同。载流子沟道设置在第一III-V化合物层和第二III-V化合物层之间。硅化物源极部件和硅化物漏极部件通过第二III-V化合物层与第一III-V化合物层接触。栅电极设置在第二III-V化合物层位于硅化物源极部件和硅化物漏极部件之间的部分的上方。本发明还公开了形成高电子迁移率晶体管的方法。

主权项

一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，包括：第一III‑V化合物层；第二III‑V化合物层，位于所述第一III‑V化合物层上并且在成分上不同于所述第一III‑V化合物层，其中，载流子沟道沿所述第一III‑V化合物层和所述第二III‑V化合物层之间的界面设置在第一III‑V化合物层中；介电覆盖层，位于所述第二III‑V化合物层上方；硅化物源极部件和硅化物漏极部件，通过所述第二III‑V化合物层与所述第一III‑V化合物层接触，其中，所述硅化物源极部件或所述硅化物漏极部件的至少一个沿着所述介电覆盖层的顶部延伸；以及栅电极，位于所述第二III‑V化合物层在所述硅化物源极部件和所述硅化物漏极部件之间的部分的上方。