一种二维超薄硫化锡纳米片及其制备方法和应用

摘要

一种二维超薄硫化锡纳米片的制备方法及制得的材料，采用Sn₂Cl₄(Tu)₅·2H₂O为前驱物，通过新颖的固液相反应路线，在230℃下热分解Sn₂Cl₄(Tu)₅·2H₂O可控合成了类石墨烯状的、超薄SnS₂纳米片。通过控制反应温度，可得到纯六方相SnS₂纳米片、混合相SnS₂-SnS和纯正交相的SnS纳米片。所得到的六方相SnS₂纳米片具有高的质量比电容(在电流密度为1A g^-1时其比电容为614.6F g^-1)和优异的稳定性，且远远优于混合相SnS₂-SnS和纯正交相SnS纳米片。本发明的六方相SnS₂纳米片可作为活性材料用于构建高性能的超级电容器。

主权项

一种二维超薄金属锡硫化物纳米片的制备方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤之一：1)将前驱体Sn₂Cl₄(Tu)₅·2H₂O和油酸混合物以一定的速率升温至180‑230℃，并在该温度下维持反应，反应产物分离、洗涤，制得六方相超薄SnS₂纳米片；2)将前驱体Sn₂Cl₄(Tu)₅·2H₂O和油酸混合物以一定的速率升温至260‑295℃，并在该温度下维持反应，反应产物分离、洗涤，制得混合相SnS₂‑SnS纳米片；3)将前驱体Sn₂Cl₄(Tu)₅·2H₂O和油酸混合物以一定的速率升温至300‑330℃，并在该温度下维持反应，反应产物分离、洗涤，制得正交相超薄SnS纳米片。