| 发明名称 | 鳍式场效应管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种鳍式场效应管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；采用沉积工艺在所述鳍部侧壁和顶部表面沉积过渡层，所述过渡层的材料中具有与鳍部材料原子相同的原子；对所述过渡层进行氧化处理，将所述过渡层材料转化为栅介质层材料，在鳍部侧壁和顶部表面形成栅介质层。本发明提供的鳍式场效应管的形成方法，减少了鳍部材料的消耗，从而提高了形成的鳍式场效应管的电学性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105448717A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201410294769.9 | 申请日期 | 2014.06.26 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 虞肖鹏;何有丰;陈正领 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 应战;骆苏华 |
| 主权项 | 一种鳍式场效应管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底表面形成有若干分立的鳍部；采用沉积工艺在所述鳍部侧壁和顶部表面沉积过渡层，所述过渡层的材料中具有与鳍部材料原子相同的原子；对所述过渡层进行氧化处理，将所述过渡层材料转化为栅介质层材料，在鳍部侧壁和顶部表面形成栅介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||