发明名称 内嵌金属走线结构及其制造方法
摘要 本发明揭露一种内嵌金属走线结构及其制造方法。内嵌金属走线结构包含一基材及一金属走线。基材具有多个走线凹槽位于其表面。部分金属走线内嵌于走线凹槽内,且部份凸出于基材表面,其中金属走线凸出基材表面的高度小于5微米,且内嵌于走线凹槽的深度小于基材的二分之一厚度。本发明的内嵌金属走线结构用以解决已知电子装置内金属走线凸出基材的表面过多,易造成贴合时光学透光黏胶内的气泡不易排出等问题,并能符合移动电子装置薄型化的趋势。
申请公布号 CN105451438A 申请公布日期 2016.03.30
申请号 CN201510813158.5 申请日期 2015.11.19
申请人 业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 发明人 张志鹏;江英杰
分类号 H05K1/11(2006.01)I;H05K3/10(2006.01)I 主分类号 H05K1/11(2006.01)I
代理机构 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人 吴平
主权项 一种内嵌金属走线结构,其特征在于,包含:一基材,具有多个走线凹槽位于其表面;以及一金属走线,其部份内嵌于该些走线凹槽内,且部份凸出于该基材表面,其中该金属走线凸出于该基材表面的高度小于5微米,且内嵌于该些走线凹槽的深度小于该基材的二分之一厚度。
地址 518000 广东省深圳市龙华街道办民清路北深超光电科技园K2区H3厂房