| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种发光器件。根据本发明的实施例的发光器件包括：发光结构，包括：第一导电半导体层；有源层，在第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，在有源层下；沟道层，围绕发光结构的下部布置；第一电极，布置在沟道层上；第二电极，布置在发光结构下；以及连接布线，用于电连接第一电极和第一导电半导体层。 | ||
| 申请公布号 | CN105453280A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201480044562.4 | 申请日期 | 2014.08.01 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 丁焕熙 |
| 分类号 | H01L33/36(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;李玉锁 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：发光结构，包括：第一导电半导体层；有源层，在所述第一导电半导体层下；以及第二导电半导体层，在所述有源层下；沟道层，围绕所述发光结构的下部；第一电极，在所述沟道层上；第二电极，在所述发光结构下；连接布线，用于电连接所述第一电极和所述第一导电半导体层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔市 | ||