| 摘要 |
반도체 소자가 다이, 상기 다이에 인접하여 배치된 전도성 기둥, 및 상기 전도성 기둥 및 상기 다이를 둘러싸는 몰딩을 포함하며, 상기 몰딩은 상기 전도성 기둥의 측벽으로부터 돌출하고 상기 전도성 기둥의 상면 상에 배치되는 돌출 부분을 포함한다. 또한, 반도체 소자의 제조 방법이 다이를 배치하는 단계, 상기 다이에 인접하여 전도성 기둥을 배치하는 단계, 상기 전도성 기둥 및 상기 다이 위에 몰딩을 배치하는 단계, 상기 몰딩의 상단부로부터 몰딩의 일부 부분들을 제거하는 단계, 및 상기 전도성 기둥의 상면 위에 상기 몰딩의 리세스를 형성하는 단계를 포함한다. |
