| 发明名称 |
N-TYPE SIC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAME |
| 摘要 |
저저항률을 갖고 또한 관통 전위 밀도가 작은 n 형 SiC 단결정을 제공한다. 게르마늄 및 질소를 함유하는 n 형 SiC 단결정으로서, 게르마늄 및 질소의 밀도비 [Ge/N] 이 0.17 ＜ [Ge/N] ＜ 1.60 의 관계를 만족시키는 n 형 SiC 단결정. |
| 申请公布号 |
KR20160034397(A) |
申请公布日期 |
2016.03.29 |
| 申请号 |
KR20167004704 |
申请日期 |
2014.07.23 |
| 申请人 |
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
SHIRAI TAKAYUKI |
| 分类号 |
C30B19/02;C30B9/10;C30B17/00;C30B19/04;C30B29/36 |
主分类号 |
C30B19/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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