| 发明名称 |
METHOD FOR IMPROVING THE ELECTRICAL CONDUCTIVITY OF METAL OXIDE SEMICONDUCTOR LAYERS |
| 摘要 |
본 개시내용은 소정의 위치에서 금속 산화물 반도체층의 전기전도도를 개선하기 위한 방법을 제공한다. 상기 방법은 금속 산화물 반도체층을 기판 상에 제공하는 단계; 상기 금속 산화물 반도체층 상에 금속 산화물층을 원자층 증착에 의해서 제공하는 단계를 포함하고, 상기 금속 산화물층은 상기 금속 산화물 반도체층과 소정의 위치에서 물리적으로 접촉한다. 놀랍게도, 이 방법에 의해서 소정의 위치에서 금속 산화물 반도체층의 전기전도도가 증가하는 것을 밝혀냈다. 본 개시내용의 방법은 소스 및 드레인 영역에서 전기전도도를 개선하기 위해서 바람직하게 자체 배열된 상부 게이트 금속 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 제조 공정에서 사용될 수 있다 |
| 申请公布号 |
KR20160034262(A) |
申请公布日期 |
2016.03.29 |
| 申请号 |
KR20157037203 |
申请日期 |
2014.06.11 |
| 申请人 |
IMEC VZW;KATHOLIEKE UNIVERSITEIT LEUVEN;NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR TOEGEPAST-NATUURWETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK TNO |
发明人 |
NAG MANOJ;BHOOLOKAM AJAY SAMPATH;MULLER JOHANN |
| 分类号 |
H01L29/66;H01L21/02;H01L21/28;H01L29/51;H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/66 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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