| 摘要 |
유기 발광 다이오드의 애노드 연결구조 및 그 제작방법에 있어서, 상기 구조는 박막 트랜지스터(20) 및 박막 트랜지스터(20)에 위치하는 유기 발광 다이오드의 애노드(40)를 포함하고, 상기 박막 트랜지스터(20)는 기판(22)에 위치하는 저온 폴리실리콘층(24), 저온 폴리실리콘층(24)에 위치하는 게이트 절연층(26), 게이트 절연층(26)에 위치하는 게이트, 게이트에 위치하는 보호층(27) 및 보호층(27)에 위치하는 소스/드레인(28)을 포함하며, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드(40)는 상기 저온 폴리실리콘층(24)에 연결된다. 유기 발광 다이오드의 애노드를 박막 트랜지스터의 저온 폴리실리콘층에 직접 연결함으로써, 인접한 두 스위치 박막 트랜지스터 간의 거리가 효과적으로 단축되고, 단위 면적(인치당) 내의 화소수가 증가하며, 상기 유기 발광 다이오드의 애노드 연결구조를 사용하는 패널의 해상도가 향상된다. |
