发明名称 METHOD OF SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT FABRICATION
摘要 반도체 직접 회로(IC)를 제조하는 방법이 개시된다. 제 1 도전성 피처 및 제 2 도전성 피처가 제공된다. 제 1 도전성 피처 상에 제 1 하드 마스크(HM)이 형성된다. 제 2 도전성 피처를 노출시키기 위한 제 1 개구부를 갖는, 패터닝된 유전체층이 제 1 도전성 피처 및 제 2 도전성 피처 상부에 형성된다. 제 2 도전성 피처에 접촉하기 위해 제 1 개구부 내에 제 1 금속 플러그가 형성된다. 제 2 HM은 제 1 금속 플러그 상에 형성되고, 또 다른 패터닝된 유전체층이, 제 1 도전성 피처 및 제 1 금속 플러그의 서브세트를 노출시키기 위해 제 2 개구부를 구비하여, 기판 상부에 형성된다. 제 2 금속 플러그가 제 2 개구부 내에 형성된다.
申请公布号 KR101607399(B1) 申请公布日期 2016.03.29
申请号 KR20140148126 申请日期 2014.10.29
申请人 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 发明人 시에 밍펭;쳉 웬헝;시에 헝쳉
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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