| 摘要 |
본 발명은 박막트랜지스터 및 평판형표시장치 제조방법을 개시한다. 개시된 본 발명의 박막트랜지스터 제조방법은, 기판 상에 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 게이트 전극이 형성된 기판 상에 게이트 절연막, 산화반도체막 및 제 1 절연막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 산화반도체막이 형성된 기판 상에 1차 열처리 공정을 진행하는 단계; 상기 1차 열처리 공정이 완료된 기판 상에 마스크 공정을 진행하여 제 1 절연막을 식각하여 상기 게이트 전극 상부에 에치스톱퍼를 형성하는 단계; 상기 에치스톱퍼가 형성된 기판 상에 마스크 공정을 진행하여 상기 산화반도체막을 식각하여 채널층을 형성하는 단계; 상기 채널층이 형성된 기판 상에 소스/드레인 금속막을 형성한 다음, 마스크 공정을 진행하여 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및 상기 소스/드레인 전극이 형성된 기판 상에 2차 열처리 공정을 진행하는 단계를 포함한다. 본 발명은 박막트랜지스터 제조방법은 채널층으로 산화반도체막을 사용하여 제조 공정이 단순화하고, 소자 특성이 개선한 효과가 있다. |
