FLASH MEMORY SYSTEM ENDURANCE IMPROVEMENT USING TEMPERATURE BASED NAND SETTINGS

摘要

온도 기반 플래시 메모리 설정들을 이용하여 플래시 메모리 시스템 내구성을 개선하기 위한 방법 및 장치가 기재되어 있다. 일 실시예에서, 메모리 제어기 로직은, 플래시 메모리 스토리지 디바이스의 감지 온도와 임계 온도 값의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여, 플래시 메모리 스토리지 디바이스에 제1 트림 프로파일 또는 제2 트림 프로파일 중 하나의 트림 프로파일을 적용한다. 다른 실시예들이 또한 개시되며 청구된다.